HBM（高带宽内存）是基于TSV和Chiplet技术的堆叠DRAM架构，可实现高于256GBps的超高带宽，帮助数据中心突破“内存墙”瓶颈。AI应用快速放量之下，AI服务器所需DRAM容量为常规服务器的8倍，拉动DRAM需求大幅增长。随着应用对AI的依赖度增加，需要HBM的加入来支援硬件。根据集邦咨询，HBM有助于突破AI发展中受限的硬件频宽瓶颈，2022年6月SK海力士量产HBM3 DRAM芯片并供货英伟达，随着英伟达使用HBM DRAM，数据中心或将迎来新一轮的性能革命。根据Yole预测，DRAM所用TSV封装技术（HBM/3Ds）及混合键合技术将在存储封装市场中取得亮眼进展，二者合计占比将由2020年5%上升至2026年17%，实现32亿美元市场规模。国内HBM相关上游厂商机遇不断呈现。
雅克科技（002409）为中国大陆唯一打入SK海力士、三星、长鑫、长存等国内外领先存储芯片厂商的前驱体供应商，有望受益HBM增长。
联瑞新材（）产品中Lowα微米级球形硅微粉、Lowα亚微米级球形硅微粉主要应用于存储芯片封装等先进封装领域，而且在中高端封装中的占比呈增长趋势，在环氧塑封料（GMC）领域，公司实现了行业内国内外主要客户的全覆盖。
周三沪深股指失守5日均线，两市合计成交9388亿元环比略增；60分钟图显示，各股指均失守5小时均线，60分钟MACD指标均保持金叉状态；从形态来看，市场筑底阶段，各股指受限于板块轮动，再次出现反复，深成指和创业板指继续刷新年内收盘新低，不过市场成交温和放大，显示出多空双方的分歧依然严重，后市若成交不能放大到万亿之上，则指数只能以时间换空间夯实底部。因为短线“四针探底”并不改变走势结构，目前沪指日K线已经是五根K线重叠在一起了，这种震荡必须要打破僵局才行。换句话说，“四针探底”要改变现状，必须要有进攻，这种进攻不仅要突破3229点的压力，还得对3229点进行回踩确认才行，届时才可能迎来系统性的机会。只要这种情况未出现，稳健的朋友就要控制一下仓位，谨慎对待。展望后市，存量博弈的格局中，等待市场风险的进一步释放、下行则不宜过分悲观，预计短线偏震荡为主、未来2-3周3200点料并非最高点且有略上行的机会，交易逻辑如果从这个角度来考量，那么策略无非就是：要么轻仓不怎么操作，要么适当玩玩题材股，没有更好的选择。困难时期，人人自保。
沪指全天基本呈现宽幅震荡的运行特征。当前上证综指与创业板指数的平均市盈率分别为12.81倍、36.57倍，处于近三年中位数以下水平，市场估值依然处于较低区域，适合中长期布局。两市周三成交量9388亿元，处于近三年日均成交量中位数区域。进入下半年，美联储仍将逐步转松，美元的强势可能是阶段性的，伴随联储加息触顶，美元或进入弱势周期。在经济弱复苏进一步确认后，市场的交易主线由前期“/中/特./*/.估/.”的进攻性转向防御品种，表现为业绩波动较小的“电力公用事业”以及估值较低的医药板块开始受到追捧，同时结合近期消费数据回暖，核心CPI趋稳的宏观背景，市场也有逐步博弈消费复苏的倾向。
从月K线看，沪深300指数已经出现“四连阴”。从A股历史上看，月K线“五连阴”情况还没出现过，因此本轮出现的概率不大，6月指数收阳仍可期。从估值水平看，目前已跌至2010年以来25%分位以下，十年期国债利率近期跌至2.69%，接近去年10月底股市阶段底部位置，股权风险溢价则重回7年90%分位上方，当前投资者风险偏好较低。成交量方面，近期沪深两市日成交额跌至8000亿元以下，进入A股历史换手率偏底部的区域，正所谓地量之后见地价，交投清淡也是市场见底的一个重要信号。此外，从新基金发行情况来看，其发行状况也不乐观，5月以来新基金共发行81只，发行份额仅207.47亿份，这一数据逼近八年半以来的月度最低点。从历史上看，每次基金出现发行冰点，常常也是下一个强势行情的重要拐点。
再来看日K线的结构，同样具备较积极的展望，机会是跌出来的，而且就4月中旬下跌以来，又快又急，将指数从4169点高位持续压低到周三的低位3781点，过去半年以来，最大的下跌幅度都是在这一阶段产生。
从持续的绝对空间，到持续的时间来看，以及关键的技术条件，都指向持续压低后必然会带来反攻的技术发展态势。这从可量化的数据来看，一方面也是指数跌落到了去年11月份反弹前的低点区域，以及震荡促成涨势的震荡区域。
这章没有结束，请点击下一页继续阅读！